本课程围绕半导体物理基础理论和半导体主要性质，共分为四部分，七章。前两章为第一部分，介绍半导体物理的基础知识，包罗半导体的晶体结构、量子力学初步概要、价键模型、半导体的电子结构；第二部分由两章组成，别离定性、定量阐述半导体中的载流子；第三部分由一章构成，描述三维半导体中的电输运；第四部分讨论半导体的结，阐述金属-半导体的接触、半导体表面效应和MIS结构。同时为大家带来一系列习题的解析。

1．半导体中的电子状态 半导体的晶格结构和结合性质；半导体中的电子状态和能带；半导体中电子的运动、有 效质量；本征半导体的导电机构、空穴；回旋共振；硅和锗的能带结构；Ⅲ–Ⅴ族化合物半 导体的能带结构；Ⅱ–Ⅵ族化合物半导体的能带结构；Si1-xGex 合金的能带；宽禁带半导体 材料。 2．半导体中杂质和缺陷能级 硅、锗晶体中的杂质能级；Ⅲ–Ⅴ族化合物中的杂质能级；氮化镓、氮化铝、碳化硅中 的杂质能级；缺陷、位错能级。 3．半导体中载流子的统计分布 状态密度；费米能级和载流子的统计分布；本征半导体的载流子浓度；杂质半导体的载 流子浓度；一般情况下的载流子统计分布；简并半导体；电子占据杂质能级的概率。 4．半导体的导电性 载流子的漂移运动和迁移率；载流子的散射；迁移率与杂质浓度和温度的关系；电阻率 及其与杂质浓度和温度的关系；玻耳兹曼方程、电导率的统计理论；强电场下的效应、热载 流子；多能谷散射、耿氏效应。

5．非平衡载流子 非平衡载流子的注入与复合；非平衡载流子的寿命；准费米能级；复合理论；陷阱效应； 载流子的扩散运动；载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式；连续性方程式；硅的少数载流子 寿命与扩散长度。 6．pn 结 pn 结及其能带图；pn 结电流电压特性；pn 结电容；pn 结击穿；pn 结隧道效应。 7．金属和半导体接触 金属半导体接触及其能级图；金属半导体接触整流理论；少数载流子的注入和欧姆接触。 8．半导体表面和 MIS 结构 表面态；表面电场效应；MIS 结构的 C–V 特性；硅–二氧化硅系统的性质；表面电导 及迁移率；表面电场对 pn 结特性的影响。 9．半导体异质结构 半导体异质结及其能带图；半导体异质 pn 结的电流电压特性及注入特性；半导体异质 结量子阱结构及其电子能态与特性；半导体应变异质结构；GaN 基半导体异质结构；半导 体超晶格。 10．半导体的光学性质和光电与发光现象 半导体的光学常数；半导体的光吸收；半导体的光电导；半导体的光生伏特效应；半导 体发光；半导体激光；半导体异质结在光电子器件中的应用。 11．半导体的热电性质 热电效应的一般描述；半导体的温差电动势率；半导体的珀耳帖效应；半导体的汤姆逊 效应；半导体的热导率；半导体热电效应的应用。